IGC18T120T8LX1SA2
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IGC18T120T8LX1SA2 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 15A SAWN ON FOIL |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 15A |
Testbedingung | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | TrenchStop™ |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
Grundproduktnummer | IGC18T120 |
IGC18T120T8LX1SA2 Einzelheiten PDF [English] | IGC18T120T8LX1SA2 PDF - EN.pdf |
IGBT 1200V 200A
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT CHIP
IGBT 750V
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT 1200V 15A DIE
IGBT 600V 11A WAFER
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT 1200V 150A SAWN ON FOIL
IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
IGBT CHIP
IGBT 600V 20A WAFER
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT CHIP
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT CHIP SMD
IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
IGBT CHIP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IGC18T120T8LX1SA2Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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